- نموذج
- GT50J121(Q)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 100 A
- الحزمة / العلبة TO-3PL
- الطاقة - الحد الأقصى 240 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(LH)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 90ns/300ns
- طاقة التبديل 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
- شرط الاختبار 300V, 50A, 13Ohm, 15V
