- نموذج
- GT50JR22(STA1,E,S)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- شرط الاختبار -
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- طاقة التبديل -
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -
- تيار المجمع النبضي (Icm) 100 A
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 230 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
