- نموذج
- GT50N322A
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- شرط الاختبار -
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- طاقة التبديل -
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
- الطاقة - الحد الأقصى 156 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 800 ns
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
