- نموذج
- GT60N321(Q)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- شرط الاختبار -
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 2.5 µs
- طاقة التبديل -
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 60 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
- الطاقة - الحد الأقصى 170 W
- الحزمة / العلبة TO-3PL
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 330ns/700ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(LH)
