- نموذج
- GT8G133(TE12L,Q)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 600 mW
- نوع IGBT -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- شرط الاختبار -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 400 V
- طاقة التبديل -
- الحزمة / العلبة 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- المورد الجهاز الحزمة 8-TSSOP
- تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 1.7µs/2µs
