- نموذج
- GWA75H65DRFB2AG
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 240 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- المورد الجهاز الحزمة TO-247 Long Leads
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 123 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- الطاقة - الحد الأقصى 395 W
- شرط الاختبار 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
- طاقة التبديل 12.9mJ (on), 900µJ (off)
- شحنة البوابة 253 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 28ns/103ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 710 ns
