- نموذج
- HGTD3N60B3S
- الشركة المصنعة
- Harris Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 7 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 16 ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-252 (DPAK)
- تيار المجمع النبضي (Icm) 20 A
- شحنة البوابة 21 nC
- الطاقة - الحد الأقصى 33.3 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3.5A
- طاقة التبديل 66µJ (on), 88µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 18ns/105ns
- شرط الاختبار 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
