- نموذج
- HGTP12N60C3R
- الشركة المصنعة
- Harris Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الحزمة / العلبة TO-220-3
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- المورد الجهاز الحزمة TO-220-3
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 37 ns
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 24 A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 37ns/120ns
- الطاقة - الحد الأقصى 104 W
- شرط الاختبار 480V, 12A, 25Ohm, 15V
- شحنة البوابة 71 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 48 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A
- طاقة التبديل 400µJ (on), 340µJ (off)
