- نموذج
- IGB08N120S7ATMA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف -
- التأهيل -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 20 A
- شحنة البوابة 55 nC
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO263-3-2
- تيار المجمع النبضي (Icm) 24 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A
- شرط الاختبار 600V, 8A, 20Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 87 W
- طاقة التبديل 460µJ (on), 410µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 15ns/149ns
