- نموذج
- IGB15N120S7ATMA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف -
- التأهيل -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 34 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO263-3-2
- شحنة البوابة 97 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 45 A
- شرط الاختبار 600V, 15A, 10Ohm, 15V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
- الطاقة - الحد الأقصى 141 W
- طاقة التبديل 900µJ (on), 680µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 16ns/156ns
