- نموذج
- IGD03N120S7ATMA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف -
- التأهيل -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- الحزمة / العلبة TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 45 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 10 A
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO252-3
- شحنة البوابة 24 nC
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع النبضي (Icm) 9 A
- طاقة التبديل 210µJ (on), 160µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 19ns/89ns
- شرط الاختبار 600V, 3A, 60Ohm, 15V
