- نموذج
- IKN04N60RC2ATMA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-261-4, TO-261AA
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- شحنة البوابة 24 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 7.5 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 12 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 39 ns
- المورد الجهاز الحزمة PG-SOT223-3
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 4A
- شرط الاختبار 400V, 4A, 49Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 6.8 W
- طاقة التبديل 95µJ (on), 62µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 8ns/126ns
