- نموذج
- IKZA50N65EH7XKSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الصف -
- التأهيل -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
- الطاقة - الحد الأقصى 250 W
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- الحزمة / العلبة TO-247-4
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شحنة البوابة 103 nC
- شرط الاختبار 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO247-4-3
- طاقة التبديل 440µJ (on), 490µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 15ns/142ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 54.6 ns
