القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

IXYA50N65C5

IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263

IXYA50N65C5
نموذج
IXYA50N65C5
الشركة المصنعة
IXYS
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Bulk
RoHS
مطابق

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Surface Mount
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
  • الصف -
  • التأهيل -
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • المورد الجهاز الحزمة TO-263 (D2PAK)
  • الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 240 A
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 110 A
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • الطاقة - الحد الأقصى 650 W
  • شحنة البوابة 117 nC
  • شرط الاختبار 300V, 25A, 5Ohm, 15V
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 36A
  • طاقة التبديل 360µJ (on), 260µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 25ns/170ns

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة