- نموذج
- MSCGLQ50DH120CTBL2NG
- الشركة المصنعة
- Microchip Technology
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 110 A
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 25 µA
- الطاقة - الحد الأقصى 375 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- تكوين Asymmetrical Bridge
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 2.77 nF @ 25 V
