القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

MSCSM120XM31RTBL3NG

PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
نموذج
MSCSM120XM31RTBL3NG
الشركة المصنعة
Microchip Technology
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Tube
RoHS
مطابق

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • المورد الجهاز الحزمة -
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة Module
  • نوع IGBT -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic -
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • المدخلات Three Phase Bridge Rectifier
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • الطاقة - الحد الأقصى 310 W
  • تكوين Three Phase
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 79 A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3020 pF @ 1 kV

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة