القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

NGW50T65H3DFPQ

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247

NGW50T65H3DFPQ
نموذج
NGW50T65H3DFPQ
الشركة المصنعة
Nexperia USA Inc.
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Tube
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Active
  • الصف -
  • التأهيل -
  • الحزمة / العلبة TO-247-3
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
  • وقت الاسترداد العكسي (trr) 145 ns
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
  • شحنة البوابة 85 nC
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • الطاقة - الحد الأقصى 340 W
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
  • شرط الاختبار 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • المورد الجهاز الحزمة TO-247-3L
  • طاقة التبديل 1.7mJ (on), 500µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 20ns/98ns

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة