- نموذج
- NP100T12P2T3Z
- الشركة المصنعة
- Nexperia USA Inc.
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- تكوين Three Phase Inverter with Brake
- المدخلات Three Phase Bridge Rectifier
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- الطاقة - الحد الأقصى 20 mW
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3650 pF @ 25 V
