- نموذج
- NVG800A75L4DSC2
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- نوع IGBT -
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 750 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 550 A
- تكوين Half Bridge Inverter
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 600A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 43000 pF @ 30 V
- الحزمة / العلبة 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
- المورد الجهاز الحزمة AHPM15-CEA
