- نموذج
- NVH660S75L4SPFB
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- المدخلات Standard
- تكوين Three Phase Inverter
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 500 µA
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 750 V
- نوع IGBT Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 660 A
- الطاقة - الحد الأقصى 733 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.44V @ 15V, 450A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 63000 pF @ 30 V
- المورد الجهاز الحزمة SSDC33
