- نموذج
- NXH100T120L3Q0S1NG
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- المدخلات Standard
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 200 µA
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 54 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
- تكوين Three Level Inverter
- الطاقة - الحد الأقصى 122 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 4877 pF @ 25 V
- المورد الجهاز الحزمة 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
