- نموذج
- NXH160T120L2Q1SG
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Last Time Buy
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 800 µA
- الطاقة - الحد الأقصى 280 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 140 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 160A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 38164 pF @ 25 V
- المورد الجهاز الحزمة 30-PIM (71x37.4)
