- نموذج
- NXH200T120H3Q2F2STG
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 500 µA
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 330 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- المورد الجهاز الحزمة 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- الطاقة - الحد الأقصى 679 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 35.615 nF @ 25 V
