القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

NXH240B120H3Q1P1G

150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI

NXH240B120H3Q1P1G
نموذج
NXH240B120H3Q1P1G
الشركة المصنعة
onsemi
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Tray
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 150 µA
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 92 A
  • تكوين Three Level Inverter
  • المورد الجهاز الحزمة 32-PIM (71x37.4)
  • الطاقة - الحد الأقصى 266 W
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 19082 pF @ 20 V

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة