- نموذج
- NXH25T120L2Q1PTG
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- تكوين Three Phase Inverter
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 25 A
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
- الطاقة - الحد الأقصى 81 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 25A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 8.502 nF @ 20 V
- المورد الجهاز الحزمة 44-PIM (71x37.4)
