- نموذج
- NXH300B100H4Q2F2SG-R
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- المدخلات Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 800 µA
- تكوين Half Bridge Inverter
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 100A
- الطاقة - الحد الأقصى 194 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 73 A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 6.323 nF @ 20 V
- المورد الجهاز الحزمة 53-PIM/Q2PACK (93x47)
