- نموذج
- NXH350N100H4Q2F2P1G-R
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تكوين Three Level Inverter
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 303 A
- الطاقة - الحد الأقصى 592 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 24.146 nF @ 20 V
- المورد الجهاز الحزمة 42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A
