القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

NXH450N65L4Q2F2S1G

120KW 1100V Q2PACK

NXH450N65L4Q2F2S1G
نموذج
NXH450N65L4Q2F2S1G
الشركة المصنعة
onsemi
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Tray
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
  • نوع IGBT Field Stop
  • تكوين Three Level Inverter
  • الطاقة - الحد الأقصى 365 W
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 167 A
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 225A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 14630 pF @ 20 V
  • المورد الجهاز الحزمة 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة