القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

NXH600B100H4Q2F2PG

MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR

NXH600B100H4Q2F2PG
نموذج
NXH600B100H4Q2F2PG
الشركة المصنعة
onsemi
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Tray
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • المدخلات Standard
  • تكوين Three Phase Inverter
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 10 µA
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 192 A
  • الطاقة - الحد الأقصى 511 W
  • المورد الجهاز الحزمة 44-PIM (93x47)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1 kV
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 13256 pF @ 20 V

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة