- نموذج
- NXH600B100H4Q2F2S1G
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- المدخلات Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 20 µA
- تكوين Three Level Inverter
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- المورد الجهاز الحزمة 56-PIM (93x47)
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 12687.7 pF @ 20 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 173 A
- الطاقة - الحد الأقصى 422 W
