- نموذج
- NXH80T120L2Q0P2G
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 67 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
- تكوين Three Level Inverter
- المورد الجهاز الحزمة 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- الطاقة - الحد الأقصى 158 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 19.4 nF @ 20 V
