القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

RBN50H65T1FPQ-A0#CB0

IGBT TRENCH 650V 100A TO-247A

RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
نموذج
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
الشركة المصنعة
Renesas Electronics Corporation
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Tube
RoHS
مطابق

المواصفات التقنية

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Last Time Buy
  • الحزمة / العلبة TO-247-3
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الطاقة - الحد الأقصى 250 W
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
  • درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
  • وقت الاسترداد العكسي (trr) 65 ns
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • نوع IGBT Trench
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
  • شحنة البوابة 36 nC
  • المورد الجهاز الحزمة TO-247A
  • طاقة التبديل 830µJ (on), 670µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 20ns/93ns
  • شرط الاختبار 400V, 50A, 16Ohm, 15V

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة