- نموذج
- RGTV00TS65GC13
- الشركة المصنعة
- ROHM Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الصف -
- التأهيل -
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 95 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
- شحنة البوابة 104 nC
- شرط الاختبار 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- طاقة التبديل 1.17mJ (on), 940µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 41ns/142ns
- الطاقة - الحد الأقصى 276 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-247GE
