- نموذج
- RGTV80TS65GC13
- الشركة المصنعة
- ROHM Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الصف -
- التأهيل -
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 160 A
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 78 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شرط الاختبار 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
- شحنة البوابة 81 nC
- الطاقة - الحد الأقصى 234 W
- طاقة التبديل 1.02mJ (on), 710µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 39ns/113ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-247GE
