- نموذج
- RGW50NL65HRBTL
- الشركة المصنعة
- ROHM Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- طاقة التبديل 110µJ (on), 230µJ (off)
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع النبضي (Icm) 100 A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 57 A
- الطاقة - الحد الأقصى 165 W
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شحنة البوابة 73 nC
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A
- المورد الجهاز الحزمة TO-263L
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 31ns/119ns
- شرط الاختبار 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
