القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

RGW60NL65HRBTL

IGBT TRENCH FS 650V 67A TO-263L

RGW60NL65HRBTL
نموذج
RGW60NL65HRBTL
الشركة المصنعة
ROHM Semiconductor
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Cut Tape (CT)
RoHS
مطابق

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Surface Mount
  • الصف Automotive
  • التأهيل AEC-Q101
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 67 A
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • الطاقة - الحد الأقصى 187 W
  • شرط الاختبار 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • شحنة البوابة 84 nC
  • المورد الجهاز الحزمة TO-263L
  • طاقة التبديل 180µJ (on), 250µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 34ns/122ns

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة