- نموذج
- RGW60TS65DGC13
- الشركة المصنعة
- ROHM Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الصف -
- التأهيل -
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 60 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- شرط الاختبار 400V, 30A, 10Ohm, 15V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 92 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- الطاقة - الحد الأقصى 178 W
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شحنة البوابة 84 nC
- طاقة التبديل 480µJ (on), 490µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 37ns/114ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-247GE
