- نموذج
- RGW80NL65DHRBTL
- الشركة المصنعة
- ROHM Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- تيار المجمع النبضي (Icm) 160 A
- شحنة البوابة 110 nC
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 92 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شرط الاختبار 400V, 20A, 10Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 227 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 83 A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 42ns/148ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-263L
- طاقة التبديل 240µJ (on), 330µJ (off)
