- نموذج
- SGS5N60RUFDTU
- الشركة المصنعة
- Fairchild Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 55 ns
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-220-3 Full Pack
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 8 A
- شحنة البوابة 16 nC
- الطاقة - الحد الأقصى 35 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-220F-3
- تيار المجمع النبضي (Icm) 15 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 5A
- طاقة التبديل 88µJ (on), 107µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 13ns/34ns
- شرط الاختبار 300V, 5A, 40Ohm, 15V
