- نموذج
- SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 113 A
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 300 µA
- تكوين Three Level Inverter
- المورد الجهاز الحزمة 40-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 225A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 14630 pF @ 20 V
- الطاقة - الحد الأقصى 226 W
