- نموذج
- SNXH150B120H3Q2F2PG-N
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- المدخلات Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 400 µA
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- تكوين 3 Independent
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
- الطاقة - الحد الأقصى 279 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 19137 pF @ 20 V
- المورد الجهاز الحزمة 35-PIM (93x47)
