- نموذج
- STGD4H60DF
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 8 A
- الطاقة - الحد الأقصى 75 W
- شحنة البوابة 35 nC
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع النبضي (Icm) 16 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 73 ns
- شرط الاختبار 400V, 3A, 47Ohm, 15V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 3A
- طاقة التبديل 68µJ (on), 45µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 35ns/121ns
- المورد الجهاز الحزمة DPAK (TO-252) type C2
