- نموذج
- STGHU30M65DF2AG
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- شحنة البوابة 90 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 84 A
- شرط الاختبار 400V, 30A, 10Ohm, 15V
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- الطاقة - الحد الأقصى 441 W
- المورد الجهاز الحزمة HU3PAK
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 223 ns
- طاقة التبديل 210µJ (on), 1.147mJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 22ns/151ns
