- نموذج
- STGSH50M120D
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- مصفوفات IGBT
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 25 µA
- الطاقة - الحد الأقصى 536 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 69 A
- الحزمة / العلبة 9-PowerSMD
- المورد الجهاز الحزمة 9-ACEPACK SMIT
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3152 pF @ 25 V
