- نموذج
- STGSH80HB65DAG
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- نوع IGBT -
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- الطاقة - الحد الأقصى 250 W
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 83 A
- الحزمة / العلبة 9-PowerSMD
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
- المورد الجهاز الحزمة 9-ACEPACK SMIT
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 10450 pF @ 25 V
