- نموذج
- STGW10M65DF2
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Last Time Buy
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 20 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 40 A
- شحنة البوابة 28 nC
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
- الطاقة - الحد الأقصى 115 W
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- شرط الاختبار 400V, 10A, 22Ohm, 15V
- طاقة التبديل 120µJ (on), 270µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 19ns/91ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 96 ns
