- نموذج
- STGWA50M65DF2AG
- الشركة المصنعة
- STMicroelectronics
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- المورد الجهاز الحزمة TO-247 Long Leads
- شرط الاختبار 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 119 A
- شحنة البوابة 147 nC
- الطاقة - الحد الأقصى 576 W
- تيار المجمع النبضي (Icm) 207 A
- طاقة التبديل 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 29.8ns/143ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 121.6 ns
