- نموذج
- VS-GT200TS065N
- الشركة المصنعة
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Box
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100 µA
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench
- تكوين Half Bridge Inverter
- الطاقة - الحد الأقصى 517 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- المورد الجهاز الحزمة INT-A-PAK IGBT
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 193 A
