- نموذج
- VS-GT75YF120NT
- الشركة المصنعة
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Box
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100 µA
- نوع IGBT Trench Field Stop
- الطاقة - الحد الأقصى 431 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 75A
- تكوين Full Bridge
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 118 A
