- نموذج
- WG50N65DHWQ
- الشركة المصنعة
- WeEn Semiconductors
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
- شحنة البوابة 160 nC
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 105 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- الطاقة - الحد الأقصى 278 W
- شرط الاختبار 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 91 A
- طاقة التبديل 1.7mJ (on), 600µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 66ns/163ns
